HMC 代表在系统中如何使用内存的根本性变化。该基本变化最重要，因为通过将智能内存与 CPU、GPU 和 ASIC 紧密耦合，系统能显著改善效率和功耗优化。

HMC 的核心是一个小型高速逻辑层，其位于 DRAM 芯片的垂直堆栈下方，其中垂直堆栈由使用硅通孔 (TSV) 互连进行连接。DRAM 的设计纯粹是为了处理数据，且逻辑层处理 HMC 内的所有 DRAM 控制。系统设计师可以选择使用 HMC 作为“就近存储器”，其直接安装在处理器附近以获得最佳性能，或在可扩展的模块波形因数中作为“远程存储器”，以获得优化的功耗效能。

前所未有的系统性能

• 低延迟 – 我们将更多的响应数加入 HMC，期望获得较低的队列延迟和较高的库可用性，这可以大量减少系统延迟，而系统延迟减少在网络系统架构中特别具有吸引力。
• 带宽增加 — 每个 HMC 的性能都在 DDR3 模块的 15 倍以上。 通过非常快速的创新接口（与当前 DRAM 模块中使用的较慢并行接口不同）提高速度。
• Power reductions — HMC is exponentially more efficient than current memory, using 70% less energy per bit than DDR3.
• Smaller physical systems — HMC 的层叠架构所占用的空间比现在的 RDIMM 少近 90%。
• Pliable to multiple platforms — Logic-layer flexibility allows HMC to be tailored to multiple platforms and applications.

关于 HMC 联盟

HMC 联盟是由可以开发、设计或启用混合存储立方体 (HMC) 技术的业内先驱组成的工作组。The group—which currently includes Micron Technology, Inc., Samsung Electronics Co., Ltd., Altera Corporation, IBM Corporation, Microsoft Corporation, Open-Silicon, Inc., and Xilinx, Inc.—works to define the HMC interface specification to maximize the capabilities of the next generation of memory-based solutions.

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