SDRAM

测试用替换图

SDRAM 解决方案特性和灵活性兼备

我们是业内能够提供最为丰富的 SDRAM 产品的公司之一。多种密度选择;宽泛的操作温度范围;多种时钟速率、周期时间以及封装类型选择,任您自由挑选,让您轻松获得自己所需的产品。无论对当前设计还是对未来的新设计而言,这一内存解决方案都相对简单便捷、低本高效并且容易操作。

金属齿轮长期适用的完美内存解决方案

何必让设计如此复杂?如果简单便捷、低本高效的 SDRAM 解决方案可行,那么就尽管插上它然后开始工作吧。您已经确定这个元件很可靠。您知道它拥有您需要的所有功能。而且它是长期适用的可靠解决方案。我们计划在未来几年内继续支持此产品,因此它仍然是拥有较长生命周期的产品的绝佳选择。

我们的 3.3 伏 SDRAM 产品系列拥有许多选择。事实上,我们是当今业内能够提供最为丰富的产品的公司之一。我们提供多种密度、宽泛的操作温度、以及多种时钟速率、周期时间以及封装类型供您选择,让您获得自己所需要的产品。

SDRAM 料件目录和文档


稳定供应
稳定性、灵活性和容易获得是理想的长期内存解决方案的特点。我们的 SDRAM 内存便兼具上述特点,正是您为长期支持已生产并获认可的产品所寻找的内存解决方案。我们不仅拥有您需要的解决方案,而且我们还会帮助您充分利用此技术。请查看我们的 SDRAM 料件完整目录。

技术支持
美光可以向您提供优质内存并以经验丰富的技术支持作后盾,包括完整的数据表和省时的仿真模型。我们的现场应用工程师 (FAE) 以及设计开发工具将帮助您把工作变得简单。您可以参阅我们的技术资源进行 DIY 设计,也可以在您的大众市场项目上遇到特殊挑战时,与我们当地的现场应用工程师 (FAE) 合作解决问题。我们想要为您提供一切能让您的设计更快、更便捷、更成功地进入市场所需的产品和服务。

规格 描述
密度 64Mb、128Mb、256Mb、512Mb
配置 x4、x8、x16、x32
供电电压 3.3V
时钟频率 133–200 MHz
温度范围 0° 至 +70°C
-40°C 至 +85°C
-40°C 至 +105°C**
封装 54 球和 60 球 FBGA
54 球和 90 球 FBGA
54 针和 86 针 TSOP
**请联系厂家确定是否有货

类型 安全 标题和描述 编号 更新日期 文件大小
IBIS Behavioral Models: 美光多年前就已成为 IBIS 开放论坛的一员,完全支持 IBIS 规范。美光的网站上提供其大部分产品的 IBIS 模型以供下载。 TN-00-07 2009/11 163.98 KB
Thermal Applications: 定义了测量和确保美光零件和模块不超过允许的最高温度的一般方法和标准 TN-00-08 2010/05 252.18 KB
Understanding Quality and Reliability Requirements for Bare Die Applications: 介绍了 Bare Die 应用的质量和可靠性要求 TN-00-14 2009/10 152.83 KB
Recommended Soldering Parameters: 定义了美光科技公司产品的推荐连接技术和参数。 TN-00-15 2007/03 69.09 KB
Uprating of Semiconductors for High-Temperature Applications: 描述了与提升温度有关的问题,以及在制造环境规范之外使用零件和/或系统的相关风险 TN-00-18 2010/05 428.33 KB
Understanding Signal Integrity: 描述了从新产品构思直至产品寿命结束的整个过程中,如何发挥内存设计、测试和验证工具的最大优势 TN-00-20 2009/12 1.52 MB
SEMI Wafer Map Format: 美光采用了经国际半导体设备与材料联盟 (SEMI) 批准的晶圆图文件格式。使用 SEMI 的格式,美光的客户可以放心,因为他们将始终收到规格统一、兼容、可靠的晶圆图文件。 TN-00-21 2009/02 110 KB
Thinning Considerations for Wafer Products: 有关优化晶圆薄化工艺以满足特定客户需求的信息 TN-00-19 2009/10 73.58 KB
LVTTL Derating for SDRAM Slew Rate Violations: 介绍了在转换期间转换速率与规范相冲突时,应如何适当调低建立时间和保持时间 TN-48-09 2009/11 196.24 KB
Backward Compatibility for Faster SDRAM: 评述了 SDRAM 不同代产品之间的时间差异,并展示高速率美光料件如何兼容低速率料件 TN-48-15 2005/10 79.21 KB
PCN/EOL Systems: 介绍了美光产品的变更通知和寿命终结系统。 CSN-12 2012/04 79.21 KB
Wafer Packaging and Packaging Materials: 提供了有关装运美光产品时使用的各种材料的完整装运和回收信息。 CSN-20 2011/09 776.24 KB
Bare Die SiPs and MCMs: 描述了 Bare Die SiP 和 MCM 的设计考虑因素。 CSN-18 2009/04 151.06 KB
Shipping Quantities: 提供了料件数量表格。 CSN-04 2012/04 472.27 KB
Micron KGD Definitions: 描述了美光 KGD-C1 和 KGD-C2 DRAM 芯片的测试规格和参数 CSN-22 2009/07 65.52 KB
Micron Component and Module Packaging: 解释了美光的封装标签和程序。 CSN-16 2012/02 887.13 KB
ESD Precautions for Die/Wafer Handling and Assembly: 介绍了在工作场所中控制 ESD 的好处,包括提高产量和改善质量与可靠性,最终可以缩减制造成本。 CSN-24 2010/08 119.08 KB
Electronic Data Interchange: 描述了 EDI 传输的装置、协议和联系方式。 CSN-06 2005/09 53.5 KB
RMA Procedures for Packaged Product and Bare Die Devices: 概括介绍了标准的退货授权 (RMA) 程序,以及与 bare die RMA 的对比。 CSN-07 2010/10 82.64 KB
ISO System Management Standards: 描述了 ISO 系统管理标准。 CSN-08 2004/04 39.18 KB
The Future of Memory and Storage: 概述了主存和闪存的发展趋势 2009/12 1.54 MB
Interfacing SDRAM Devices with Motorola's MPC8xx: 描述了如何将 SDRAM 设备与摩托罗拉的 MPC8xx 相连接 TN-48-12 2001/12 176.99 KB
Designing in SDRAM for Future Upgrades: 描述了为适应未来升级如何设计 SDRAM TN-48-08 2004/03 126.15 KB
Designing Competitive DDR Platforms 2009/11 2.64 MB
SDRAM System-Power Calculator 2009/11 54 KB
DRAM Component Part Numbering System: DDR3/DDR2/DDR/SDR SDRAM、Mobile LPDRAM 和 RLDRAM 零件的料件编号向导 2012/04 36.89 KB
FBGA Date Codes: FBGA 封装零件的日期代码 2005/08 22.36 KB
Moisture Absorption in Plastic Packages: Describes shipping procedures for preventing memory devices from absorbing moisture and recommendations for baking devices exposed to excessive moisture TN-00-01 2010/02 87.26 KB
Accelerate Design Cycles with Simulation Models: 美光会提供必要的工具和指导,以在实际布局前对新设计进行检验。此技术要点讨论了软件模型支持、信号保真性优化和逻辑电路设计。 TN-00-09 2010/02 206.91 KB
Micron Wire-Bonding Techniques: 此技术要点提供了丝焊技术的指导,可用于美光产品的镍钯 (NiPd) 和铝制接合焊盘。 TN-00-22 2010/11 66.13 KB
Micron BGA Manufacturer's User Guide: 提供相关信息,帮助顾客轻松将最前沿的和传统的美光球栅阵列 (BGA) 封装整合到制造流程中。此指南旨在提供一系列高水平指导,并附有参考手册,其中介绍了封装相关和制造工艺流程的典型做法。 CSN-33 2011/07 353.32 KB
SDRAM I/O Characteristics Comparison of 54nm to 130nm Die: 本技术要点对比了 54nm 与 130nm 的单数据速率 (SDR) 同步动态随机存取内存 (SDRAM) 芯片的 I/O 特性。 TN-00-24 2011/08 515.31 KB
Product Marks/Product and Packaging Labels: 介绍了产品料件的标记,以及产品和封装的标签。 CSN-11 2012/04 724.89 KB
Industrial and Multi-Market Applications Flyer: 我们拥有广泛而稳定的 IMM 式存储解决方案,有助于推动汽车、工业、医疗、制造业和其它多类细分市场的技术发展。 产品宣传页 2011/08 593.95 KB
Bypass Capacitor Selection for High-Speed Designs: 描述了高速设计的旁路电容选择。 TN-00-06 2011/03 481.9 KB

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SDRAM 有没有推荐的最低工作频率?
因为 SDRAM 没有 DLL,所以也没有推荐的最低频率。如果符合所有数据表规范,SDRAM 料件可在非常低的频率下工作。然而,保持良好的转换速率十分重要,因为非常慢的转换速率会影响建立时间和保持时间的转换。同时,在 45 MHz 的操作频率下,tCKS = 3.0ns。如想获得更多信息,请参见 TN-48-09
SDRAM 时钟频率能改变吗?
美光 SDRAM 数据表要求处于访问和充电状态(READ、WRITE、tWR 和 PRECHARGE 命令)时,时钟频率应维持稳定不变其他情况下,由于 SDRAM 中没有 DLL,改变时钟频率并无影响。但我们并不推荐这样做。即使您并未改变 LMR 或 CAS 延迟,也可以降低 SDRAM 频率。如想提升频率,应确保满足 tCK 和 CAS 延迟规范。无论是以上哪种情况,都应遵守所有其他的数据表时间规范。
在 SDRAM 操作(初始化和正常操作)中 CKE 能否始终保持高电平?
JEDEC 并未指定初始化时 CKE 的准确状态;其状态会根据具体供应商而定。在应用稳定的 CLK 信号之前,美光强烈建议将 CKE 保持在较低的 LVTTL 逻辑电平。在正常操作中,CKE 可保持在高电平。CKE 的初始低电平状态可防止料件收到非法的 LMR 命令,这种命令能使料件进入未知或预期之外的状态。