CellularRAM^® 内存是什么？

我公司的 CellularRAM 内存是一种伪静态 DRAM，配有异步/页面模式和突发模式接口、隐藏刷新操作和 SRAM 引线兼容功能，该产品是专为移动应用设计的一种便捷高效的解决方案。

DRAM 是一种特定的随机存取内存种类，其结构简单，通常每比特只需一个或两个晶体管和电容，并以固定的间隔刷新内存单元的负荷。与 DRAM 类似，CellularRAM 内存也在每个内存单元中存储一比特的信息（这种内存中有上百万个内存单元），并且也以固定的时间间隔刷新这些内存单元。但 CellularRAM 设备不要求外部刷新支持，而且比标准的 DRAM 耗电更少，这一点与 SRAM 相似。

若您想了解有关从 SRAM 迁移至 CellularRAM 内存的具体信息，包括关于电源供应考虑因素、球配置、控制器接口和其他配置的讨论，请阅读我们的技术要点。
TN-45-17：CellularRAM® 设备替代单芯片、双芯片两用 SRAM。

突发式 A/D MUX CellularRAM^®，专用于对成本敏感的移动市场

本公司的突发式 A/D MUX CellularRAM 伪静态 DRAM 集 CellularRAM 内存的所有关键性能优势于一身，但减少了 30% 的控制器引脚数，从而简化了控制器设计，降低了系统设计成本，并缩短了设计周期时间。突发式 A/D MUX 产品是手机的完美内存解决方案，专为看重低能耗的新兴市场和其他电池应用准备。我们以芯片形式供应突发式 A/D MUX 产品，因为芯片能与 NOR 闪存完美协作，并能理想地与 MCP 一同运作

我们还编备了几份技术要点文件，帮您在决定将突发式 A/D MUX 设备整合进您的新设计时做出明智决策。

• TN-45-04:CellularRAM 多路复用异步/突发式操作讨论在非多路复用的 CellularRAM 的基底层面上实现多路复用操作。
• TN-45-06:x16 多路复用 PSRAM 的密度升级介绍介绍了当您想将突发式多路复用设备从 16Mb 升级到 64Mb 时需要考虑哪些因素。
• TN-45-10:设计具有 x16 突发式 A/D 多路复用接口的应用描述了突发式非 A/D MUX 和突发式 A/D MUX 设备的区别。

美光 CellularRAM 的密度和配置如何？

美光提供的产品密度有 16Mb、32Mb、64Mb 和 128Mb，可选用异步/页面模式、异步/页面/突发模式的配置。美光将所有密度的 CellularRAM 晶圆制作成为已知合格芯片 (KGD)，提供给客户 。美光的晶圆还可进行突发式 A/D 多路复用配置。

什么是 CellularRAM 内存？

CellularRAM 内存是一系列伪 SRAM（即 PSRAM）产品，能反向兼容 6T（六晶体管）SRAM 和早期的同步或页面模式 PSRAM。CellularRAM 提供一整套具有全新功能的设备，可向伪 SRAM 进化。

CellularRAM 设备的目标市场和应用是什么？

CellularRAM 产品专为手机设计，但可用于任何需要缓存或缓存内存的产品中。

CellularRAM 技术的优势是什么？

CellularRAM 技术具有多重优势，包括：

• 与标准异步 SRAM 设备的反向兼容性
• DRAM 技术与 SRAM 接口
• 更高的密度和更优越的性能
• 比现行 SRAM 设备更低的每比特成本

CellularRAM 系列产品与现有 SRAM 架构最大的区别功能是什么？

在密度为 2/4/8Mb 的手机设计中，最经常使用的是 6T-SRAM。该产品为 16 位配置，具有 70ns/85ns 随机周期时间和约 30 MB/s 的带宽。在 1.8V 时，使用状态能耗为 25mA。CellularRAM 设备的密度和带宽远远高于当今低能耗的 6T-SRAM，而其使用状态的能耗与或者持平。1.8V 时，CellularRAM 产品的随机周期时间为 70ns，突发模式下带宽峰值可达 208 MB/s。