RDIMM

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全球基础设施内存

注册 DIMM 是一款主流的内存模块解决方案，促进了全球上千种成功设计的出台。

data plane

为许多应用进行的 RDIMM 创新

行业领先的可靠度
我们的 RDIMM 使用的可能是全行业最可靠的内存组件。RDIMM 包含注册、缓冲和 ECC 等功能配置，有助于保证在设备和系统级别保持数据保真。

 

RDIMM 料件目录和文档

几十种密度选择
我们的 RDIMM 代表了主流的模块生产和开发，因此我们可以提供极为丰富的密度选择，从 128MB 到 16GB 不等。

更宽的温度范围
我们的 RDIMM 适应范围很大，一些可以在 0 到 95 摄氏度的温度下工作，帮助您的设备在恶劣环境中良好运行。

RoHS 选择
我们当然会提供符合 RoHS 6/6 标准的 RDIMM，但是您是否知道我们还为拥有豁免应用的行业保留全套符合 RoHS 5/6 标准的产品，以备您的不时之需。

仿真模型和其他在线设计支持
作为美光的顾客，您可以接触到行业经验最丰富的现场应用工程师 (FAE)，同时我们还提供了一些省时的在线免费支持工具，例如：
  • 便捷数据表
  • 详细技术要点
  • 仿真模型
  • 在线开发工具，例如 SPD 数据表
我们的热力和电力仿真模型可以让您实际检验模块方案，找到最适合您的设计的产品。我们的数据表是根据最新的以 XML 为基础的编写技术制成，因此我们可以及时提供包含最准确的半导体行业信息的文档。查看具体模块料件页面，寻找自己的文档和工具。


可信赖的质量
我们全程自主设计生产内存模块，从内存元件设计到对生产每一步的认真测试，我们都亲力亲为。我们与主板生产商和行业组织合作，确定并开发领先技术。我们亲身参与内存开发和制造的每个环节，以此为您不断提供最高质量的模块。

特点 优势
Wide Density Range 128MB–16GB
Flexible Configuration Available single- or dual-rank support
PLL Provides better signal integrity to each component on the module
仿真模型 Our convenient thermal and electrical simulation models are available online for easy download

类型 安全 标题和描述 编号 更新日期 文件大小
Thermal Applications: 定义了测量和确保美光零件和模块不超过允许的最高温度的一般方法和标准 TN-00-08 2010/05 252.18 KB
Recommended Soldering Parameters: 定义了美光科技公司产品的推荐连接技术和参数。 TN-00-15 2007/03 69.09 KB
Uprating of Semiconductors for High-Temperature Applications: 描述了与提升温度有关的问题，以及在制造环境规范之外使用零件和/或系统的相关风险 TN-00-18 2010/05 428.33 KB
Understanding Signal Integrity: 描述了从新产品构思直至产品寿命结束的整个过程中，如何发挥内存设计、测试和验证工具的最大优势 TN-00-20 2009/12 1.52 MB
Memory Module Serial Presence-Detect: Describes how SPD is essential in helping to standardize the configuration, timing, and manufacturing information of memory modules TN-04-42 2009/12 505.83 KB
Comparing Module Parameters: Compares module parameters. TN-04-49 2003/03 52.71 KB
High-Speed DRAM Controller Design: Identifies and discusses five key areas of DRAM controller design TN-04-54 2008/04 1 MB
DRAM Module Form Factors: Compares the most common DRAM module form factors TN-04-55 2009/09 435.56 KB
DDR3 RDIMMs Channel: Basics, topology, simulations, and timing 2009/12 1.15 MB
Module Pinout Decoder: Provides sorted pin assignment tables and pin location figures for use in DDR2 DIMM signal identification, tracing, and troubleshooting TN-47-03 2004/12 215.46 KB
Module Part Numbering Systems: Part numbering guides for Micron DDR4, DDR3, DDR, DDR, and SDRAM modules. 2012/04 50.52 KB
PCN/EOL Systems: 介绍了美光产品的变更通知和寿命终结系统。 CSN-12 2012/04 79.21 KB
Wafer Packaging and Packaging Materials: 提供了有关装运美光产品时使用的各种材料的完整装运和回收信息。 CSN-20 2011/09 776.24 KB
Bare Die SiPs and MCMs: 描述了 Bare Die SiP 和 MCM 的设计考虑因素。 CSN-18 2009/04 151.06 KB
Shipping Quantities: 提供了料件数量表格。 CSN-04 2012/04 472.27 KB
Micron KGD Definitions: 描述了美光 KGD-C1 和 KGD-C2 DRAM 芯片的测试规格和参数 CSN-22 2009/07 65.52 KB
Proper Handling Procedures for Modules: 涵盖了如何正确操作模块的程序。 CSN-23 2007/12 1.02 MB
Micron Component and Module Packaging: 解释了美光的封装标签和程序。 CSN-16 2012/02 887.13 KB
ESD Precautions for Die/Wafer Handling and Assembly: 介绍了在工作场所中控制 ESD 的好处，包括提高产量和改善质量与可靠性，最终可以缩减制造成本。 CSN-24 2010/08 119.08 KB
Electronic Data Interchange: 描述了 EDI 传输的装置、协议和联系方式。 CSN-06 2005/09 53.5 KB
RMA Procedures for Packaged Product and Bare Die Devices: 概括介绍了标准的退货授权 (RMA) 程序，以及与 bare die RMA 的对比。 CSN-07 2010/10 82.64 KB
ISO System Management Standards: 描述了 ISO 系统管理标准。 CSN-08 2004/04 39.18 KB
Competitive DDR Memory Subsystems: DDR milestones and platform design 2009/12 2.64 MB
DDR System Design Considerations: DDR overview 2009/12 3.46 MB
The Future of Memory and Storage: 概述了主存和闪存的发展趋势 2009/12 1.54 MB
Design Guide for Two DDR3-1066 UDIMM Systems: Rev. B, Design guide to assist board designers implementing products using UDIMM systems TN-41-08 2010/01 1.1 MB
Moisture Absorption in Plastic Packages: Describes shipping procedures for preventing memory devices from absorbing moisture and recommendations for baking devices exposed to excessive moisture TN-00-01 2010/02 87.26 KB
Accelerate Design Cycles with Simulation Models: 美光会提供必要的工具和指导，以在实际布局前对新设计进行检验。此技术要点讨论了软件模型支持、信号保真性优化和逻辑电路设计。 TN-00-09 2010/02 206.91 KB
Micron Wire-Bonding Techniques: 此技术要点提供了丝焊技术的指导，可用于美光产品的镍钯 (NiPd) 和铝制接合焊盘。 TN-00-22 2010/11 66.13 KB
Micron BGA Manufacturer's User Guide: 提供相关信息，帮助顾客轻松将最前沿的和传统的美光球栅阵列 (BGA) 封装整合到制造流程中。此指南旨在提供一系列高水平指导，并附有参考手册，其中介绍了封装相关和制造工艺流程的典型做法。 CSN-33 2011/07 353.32 KB
Proper Handling Procedures for Micron DIMMs:  2009/12 396.18 KB
Proper Installation Procedures for Micron DIMMs:  2009/12 419.89 KB
Proper Handling of Micron DIMMs - Japanese:  2009/12 453.96 KB
Proper Installation of Micron DIMMs - Japanese:  2009/12 394.2 KB
Proper Handling of Micron DIMMs - Simplified Chinese:  2009/12 482.47 KB
Proper Installation of Micron DIMMs - Simplified Chinese:  2009/12 592.58 KB
Proper Handling of Micron DIMMs - Spanish:  2009/12 461.82 KB
Proper Installation of Micron DIMMs - Spanish:  2009/12 546.81 KB
Proper Handling of Micron DIMMs - Traditional Chinese:  2009/12 539.92 KB
Proper Installation of Micron DIMMs - Traditional Chinese:  2009/12 758.93 KB
DDR Registered DIMM Design Standard: PC1600/2100 Rev 1.2 2009/12 537.31 KB
JEDEC Mechanical Dimensions: 184-Pin DIMM 1998/08 301.7 KB
Product Marks/Product and Packaging Labels: 介绍了产品料件的标记，以及产品和封装的标签。 CSN-11 2012/04 724.89 KB
Bypass Capacitor Selection for High-Speed Designs: 描述了高速设计的旁路电容选择。 TN-00-06 2011/03 481.9 KB

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Is there a set of trace lengths and routing rules that are standard for use when designing a system that uses a specific module technology and form factor?
No. A robust memory subsystem design that includes the use of one or more memory modules must be simulated in order to determine the optimum trace lengths and terminations.However, our design guides such as TN-47-01 and TN-41-08 have some best practices and design examples based on some typical system assumptions.This information does not define the only way your system can be designed; it is a starting point and, moreover, an example of steps that can be taken to determine the best design for your system.
Can Vtt and Vref be supplied by the same supply in my system design?
With proper decoupling, this can be an acceptable design.However, Micron recommends separating all supplies.VREF tends to have more noise on it because it supplies signals that are regularly switching.A robust design typically would not connect these supplies due to the possibility of introducing this noise onto the VTT plane, which should be as stable as possible.Additionally, VREF requires much less current than VTT.

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