Mini-DIMM

/Images/Large Headers/lg_header_mini_rdimm

Mini-DIMM:小模块提供高保真信号

我们的 DDR2 和 DDR3 Mini-DIMM 拥有许多密度和配置选择,以适应各种设计。我们所有的 Mini-DIMM 都配有 ECC,以保证数据保真,这为我们的产品在网络平台上稳定实现高性能打下了基础。

lan switch card

针对网络设计

针对网络的解决方案
使用我们的 Mini-DIMM,您可以从我们专业的 DRAM 设计和生产中获益,再加上我们提供的高质量的检测方法,这都让您可以设计出性能最好的小波形因数路由器、交换机、网桥和集线器。


Mini-DIMM 料件目录和文档


可带来完美数据保真性的 ECC
我们所有的 Mini-DIMM 都拥有嵌入式 ECC,以可靠保证数据保真性。注册版本还包括地址奇偶校验,这为对数据准确性有着严格要求的系统提供了更好的性能。地址奇偶校验受到一些控制器的支持并比 ECC 更进一步,允许系统设计者检验模块数据地址行的准确性。

行业领先的质量
我们开发制造高质量的网络模块,全程掌控模块生产过程。我们使用前沿的 DRAM 进行设计并与主板生产商和行业组织合作。我们认真测试元件、封装和模块。我们亲身参与内存开发和制造的每个环节,以此为您不断提供最高质量的 Mini-DIMM。

特点 优势
Wide Density Range With many density choices in a small form factor, you can build powerful devices in a limited amount of space
Flexible Configuration Available as registered or unbuffered* in single- or dual-rank configurations (*UDIMMs in DDR3 only)
ECC ECC bits to support error handling and correction for increased data reliability
Optional PLL and Buffer Reduces the load on the memory controller, which ensures signal integrity and enables the system to accommodate the maximum number of modules
仿真模型 Our convenient thermal and electrical simulation models are available online for easy download

类型 安全 标题和描述 编号 更新日期 文件大小
Thermal Applications: 定义了测量和确保美光零件和模块不超过允许的最高温度的一般方法和标准 TN-00-08 2010/05 252.18 KB
Recommended Soldering Parameters: 定义了美光科技公司产品的推荐连接技术和参数。 TN-00-15 2007/03 69.09 KB
Uprating of Semiconductors for High-Temperature Applications: 描述了与提升温度有关的问题,以及在制造环境规范之外使用零件和/或系统的相关风险 TN-00-18 2010/05 428.33 KB
Understanding Signal Integrity: 描述了从新产品构思直至产品寿命结束的整个过程中,如何发挥内存设计、测试和验证工具的最大优势 TN-00-20 2009/12 1.52 MB
Memory Module Serial Presence-Detect: Describes how SPD is essential in helping to standardize the configuration, timing, and manufacturing information of memory modules TN-04-42 2009/12 505.83 KB
Comparing Module Parameters: Compares module parameters. TN-04-49 2003/03 52.71 KB
High-Speed DRAM Controller Design: Identifies and discusses five key areas of DRAM controller design TN-04-54 2008/04 1 MB
DRAM Module Form Factors: Compares the most common DRAM module form factors TN-04-55 2009/09 435.56 KB
Module Pinout Decoder: Provides sorted pin assignment tables and pin location figures for use in DDR2 DIMM signal identification, tracing, and troubleshooting TN-47-03 2004/12 215.46 KB
Module Part Numbering Systems: Part numbering guides for Micron DDR4, DDR3, DDR, DDR, and SDRAM modules. 2012/04 50.52 KB
PCN/EOL Systems: 介绍了美光产品的变更通知和寿命终结系统。 CSN-12 2012/04 79.21 KB
Wafer Packaging and Packaging Materials: 提供了有关装运美光产品时使用的各种材料的完整装运和回收信息。 CSN-20 2011/09 776.24 KB
Bare Die SiPs and MCMs: 描述了 Bare Die SiP 和 MCM 的设计考虑因素。 CSN-18 2009/04 151.06 KB
Shipping Quantities: 提供了料件数量表格。 CSN-04 2012/04 472.27 KB
Micron KGD Definitions: 描述了美光 KGD-C1 和 KGD-C2 DRAM 芯片的测试规格和参数 CSN-22 2009/07 65.52 KB
Proper Handling Procedures for Modules: 涵盖了如何正确操作模块的程序。 CSN-23 2007/12 1.02 MB
Micron Component and Module Packaging: 解释了美光的封装标签和程序。 CSN-16 2012/02 887.13 KB
ESD Precautions for Die/Wafer Handling and Assembly: 介绍了在工作场所中控制 ESD 的好处,包括提高产量和改善质量与可靠性,最终可以缩减制造成本。 CSN-24 2010/08 119.08 KB
Electronic Data Interchange: 描述了 EDI 传输的装置、协议和联系方式。 CSN-06 2005/09 53.5 KB
RMA Procedures for Packaged Product and Bare Die Devices: 概括介绍了标准的退货授权 (RMA) 程序,以及与 bare die RMA 的对比。 CSN-07 2010/10 82.64 KB
ISO System Management Standards: 描述了 ISO 系统管理标准。 CSN-08 2004/04 39.18 KB
Competitive DDR Memory Subsystems: DDR milestones and platform design 2009/12 2.64 MB
DDR System Design Considerations: DDR overview 2009/12 3.46 MB
The Future of Memory and Storage: 概述了主存和闪存的发展趋势 2009/12 1.54 MB
Design Guide for Two DDR3-1066 UDIMM Systems: Rev. B, Design guide to assist board designers implementing products using UDIMM systems TN-41-08 2010/01 1.1 MB
Moisture Absorption in Plastic Packages: Describes shipping procedures for preventing memory devices from absorbing moisture and recommendations for baking devices exposed to excessive moisture TN-00-01 2010/02 87.26 KB
Accelerate Design Cycles with Simulation Models: 美光会提供必要的工具和指导,以在实际布局前对新设计进行检验。此技术要点讨论了软件模型支持、信号保真性优化和逻辑电路设计。 TN-00-09 2010/02 206.91 KB
DDR3 Mini-DIMMs – Register Not Always Required: Explanation of why DDR3 Mini-UDIMMs are the best choice for systems that don't actually require registered DIMMs. TN-41-10 2010/04 225.12 KB
Micron Wire-Bonding Techniques: 此技术要点提供了丝焊技术的指导,可用于美光产品的镍钯 (NiPd) 和铝制接合焊盘。 TN-00-22 2010/11 66.13 KB
Micron BGA Manufacturer's User Guide: 提供相关信息,帮助顾客轻松将最前沿的和传统的美光球栅阵列 (BGA) 封装整合到制造流程中。此指南旨在提供一系列高水平指导,并附有参考手册,其中介绍了封装相关和制造工艺流程的典型做法。 CSN-33 2011/07 353.32 KB
Proper Handling Procedures for Micron DIMMs 2009/12 396.18 KB
Proper Installation Procedures for Micron DIMMs 2009/12 419.89 KB
Proper Handling of Micron DIMMs - Japanese 2009/12 453.96 KB
Proper Installation of Micron DIMMs - Japanese 2009/12 394.2 KB
Proper Handling of Micron DIMMs - Simplified Chinese 2009/12 482.47 KB
Proper Installation of Micron DIMMs - Simplified Chinese 2009/12 592.58 KB
Proper Handling of Micron DIMMs - Spanish 2009/12 461.82 KB
Proper Installation of Micron DIMMs - Spanish 2009/12 546.81 KB
Proper Handling of Micron DIMMs - Traditional Chinese 2009/12 539.92 KB
Proper Installation of Micron DIMMs - Traditional Chinese 2009/12 758.93 KB
Product Marks/Product and Packaging Labels: 介绍了产品料件的标记,以及产品和封装的标签。 CSN-11 2012/04 724.89 KB
Bypass Capacitor Selection for High-Speed Designs: 描述了高速设计的旁路电容选择。 TN-00-06 2011/03 481.9 KB

请注意:要查看安全文档 (安全锁),请登录或单击某个安全文档以请求访问。